STF11N65K3

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意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術(shù)增強了功率處理能力，從而實現(xiàn)了高效解決方案。 產(chǎn)品的主要特性包括： 擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V 30多種封裝選項，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV 為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝） 改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求 面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管 在各個支持負載點、電信DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC、開關(guān)模式電源和汽車設(shè)備等應(yīng)用的電壓范圍內(nèi)，意法半導(dǎo)體都有符合您設(shè)計要求的MOSFET。 意法半導(dǎo)體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉(zhuǎn)換器）的理想之選，同時還支持PFC、TTF或反激式硬開關(guān)拓撲。與上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關(guān)損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運行。 STF11N65K3 N-channel 650 V, 0.765 Ohm, 11 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package 活性 This device is an N-channel Zener-protected SuperMESH3? Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH? technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications. 下載 數(shù)據(jù)表 Key Features 100% avalanche tested Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Improved diode reverse recovery characteristics Zener-protected