STF10NM60N

意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術(shù)增強(qiáng)了功率處理能力，從而實(shí)現(xiàn)了高效解決方案。 產(chǎn)品的主要特性包括： 擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V 30多種封裝選項(xiàng)，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV 為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝） 改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當(dāng)今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求 面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管 在各個(gè)支持負(fù)載點(diǎn)、電信DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC、開(kāi)關(guān)模式電源和汽車設(shè)備等應(yīng)用的電壓范圍內(nèi)，意法半導(dǎo)體都有符合您設(shè)計(jì)要求的MOSFET。 意法半導(dǎo)體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉(zhuǎn)換器）的理想之選，同時(shí)還支持PFC、TTF或反激式硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹Ｅc上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開(kāi)關(guān)損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運(yùn)行。 STF10NM60ND N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, TO-220FP FDmesh(TM) II Power MOSFET 活性 This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters. 下載 數(shù)據(jù)表 Key Features 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Extremely high dv/dt avalanche capabilities