STF11NM80

意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術(shù)增強了功率處理能力，從而實現(xiàn)了高效解決方案。 產(chǎn)品的主要特性包括： 擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V 30多種封裝選項，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV 為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區(qū)域值（0.029 ?、TO-247封裝） 改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當今’極具挑戰(zhàn)性的效率要求 面向所選產(chǎn)品線的本征快速體二極管 在各個支持負載點、電信DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC、開關(guān)模式電源和汽車設(shè)備等應用的電壓范圍內(nèi)，意法半導體都有符合您設(shè)計要求的MOSFET。 意法半導體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產(chǎn)品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉(zhuǎn)換器）的理想之選，同時還支持PFC、TTF或反激式硬開關(guān)拓撲。與上一代產(chǎn)品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關(guān)損耗。高dv/dt穩(wěn)定性（50 V/ns）讓器件即使出現(xiàn)了大電壓瞬態(tài)（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運行。 STF11NM80 N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220FP NRND These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh? technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH? horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. 下載 數(shù)據(jù)表 Key Features Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Best RDS(on)*Qg in the industry