GDAS51 射頻導納物位開關
一、產品原理及應用
古大GDAS51 射頻導納物位開關的探測極棒與金屬容器罐壁之間具有電容特性,由此構成一個電橋電路,振蕩電路產生的射頻振蕩信號加在這個電橋上。當被測介質未接觸到探測極棒時,電橋處于平衡狀態(tài),沒有輸出信號,而當被測介質填充到探測極棒與罐壁之間時,由于被測介質的電特性與空氣不同,會引起電橋電路的不平衡,從而產生輸出信號。可應用于液體、固體等復雜過程條件的測量。
二、產品參數(shù)
探測組件材料: PPS/不銹鋼 316L 過程溫度: -50~150°C
過程壓力: -1.0~64bar
信號輸出: 一個單刀雙擲繼電器,
接點容量 250V/5A
過程連接: G?A
長度: 0.4~3m; 0.3~10m
供電方式: 24V DC±10% 220V DC±10%
三、 GDAS51系列射頻導納物位開關選型表
GDAS51
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選型代碼
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說 明
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儀表種類
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A
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高精度、高穩(wěn)定性
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B
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高穩(wěn)定性
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C
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中等普通工業(yè)用
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D
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一般工業(yè)用
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供電電壓
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A
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24V
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B
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220V
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電纜進線
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M
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M20×1.5
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N
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?NPT
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T1
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特殊要求
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現(xiàn)場顯示
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A
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帶
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X
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不帶
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T2
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特殊要求
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帶散熱片/過程溫度
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A
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帶/-40 C....+150 °C
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X
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不帶/-40 C....+80 °C
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T3
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特殊要求
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長度(mm)
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A
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四位數(shù)字
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T4
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特殊要求
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