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STF12N65M5
  • STF12N65M5
  • 意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面
  • 2013-10-23 23:27  [廣東深圳]
  •    深圳市福田區(qū)華帝電子商行  [未核實]
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STF11N65K3
  • STF11N65K3
  • 意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面
  • 2013-10-23 17:34  [廣東深圳]
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STF11N65M5
  • STF11N65M5
  • 意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面
  • 2013-10-23 13:30  [廣東深圳]
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DE150-101N09A
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  • 2011-05-16 17:53  [廣東深圳]
  •   深圳市亨力拓電子有限公司  [未核實]
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  • 2011-05-16 17:48  [廣東深圳]
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STP3NK90ZF
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  • 意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面
  • 2013-10-23 13:11  [廣東深圳]
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STP8NK80ZF
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  • 意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面
  • 2013-10-29 04:42  [廣東深圳]
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STP9NK70ZF
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  • 2013-10-23 11:17  [廣東深圳]
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STP4NK80ZF
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  • 2013-10-23 11:22  [廣東深圳]
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STP7NK80ZF
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  • 2013-10-23 10:59  [廣東深圳]
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  • 意法半導體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(-500 ~ 1500 V)、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面
  • 2013-10-23 11:10  [廣東深圳]
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  • 2013-07-18 11:31  [廣東深圳]
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STF8N80K5
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  • 2013-10-23 17:39  [廣東深圳]
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