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STP10NK70Z
  • STP10NK70Z
  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-06-26 15:34  [廣東深圳]
  •    深圳市福田區(qū)華帝電子商行  [未核實(shí)]
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STP10NK70Z
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 11:05  [廣東深圳]
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STF13NK50Z
  • STF13NK50Z
  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 13:18  [廣東深圳]
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STF14NM65N
  • STF14NM65N
  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 12:34  [廣東深圳]
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STF12NK65Z
  • STF12NK65Z
  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 16:08  [廣東深圳]
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STF12NK80Z
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 16:24  [廣東深圳]
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STF13NM60N
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 13:02  [廣東深圳]
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STF15NM60N
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 12:47  [廣東深圳]
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STF12NM50N
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 16:19  [廣東深圳]
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STF14NM50N
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 13:21  [廣東深圳]
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STF12NK60Z
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 13:34  [廣東深圳]
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STF10NM65N
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  • 意法半導(dǎo)體’的MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。 意法半導(dǎo)體’面
  • 2013-10-23 17:27  [廣東深圳]
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STF11NM50N
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STF11NM60N
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STF10NM50N
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  • 2013-10-23 17:31  [廣東深圳]
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STF10NM60N
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STF10NM60N
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  • 2013-10-23 17:46  [廣東深圳]
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STF12NM50N
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  • 2013-07-18 10:47  [廣東深圳]
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高頻/超音頻/中頻熔煉 銷量領(lǐng)先
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STF12NK65Z
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  • 2013-06-26 16:49  [廣東深圳]
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