很多客戶買到貼片電容回去測試以后發(fā)現(xiàn)貼片電容的容值就有偏低的現(xiàn)象,這時可能會會認為我們存在欺騙買家的行為,其實不是的。下面我們來分析一下貼片電容的容值為什么會偏低?導致貼片電容偏低的因素有什么?下面我們一起來分析一下。
1. 測試條件對測量結果的影響
對于貼片電容偏低的我們可以考慮一下測試條件對貼片電容容值的影響。對于不同容值的貼片電容需要采用不同的測試條件來測量容值,主要在測試電壓的設定和測試頻率的設定上有區(qū)別,貼片電容不同容值的測試條件為:
電容AC電壓頻率
容量>10uF 1.0±0.2Vrms 120Hz
1000pF<容量≤10uF 1.0±0.2Vrms 1KHz
容量≤1000pF 1.0±0.2Vrms 1MHz
2. 測量儀器的差異對測量結果的影響
大容量的電容(指1uF以上的容值)測量時更容易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象,造成這種現(xiàn)象的主要原因是施加在電壓兩端的實際電壓不能達到測試條件所需求的電壓,這是因為加在電容兩端的測試電壓由于儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實際顯示的設定電壓不一致。為了使測量結果誤差降,我們建議將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設定電壓跟實際加在電容兩端所測的電壓盡量調(diào)整,使實際于待測電容上輸出的電壓一致。
區(qū)別:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。
NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。
貼片電容介電材料范圍:NP0、X5R、X7R和Y5V。
貼片電容應用:去藕,濾波,旁路,平滑
貼片電容特點:1、電容容值廣泛,符合各式電路需要
2、堅固的無鉛端電極可同時適用于回焊及波峰焊系統(tǒng)
3、適用紙帶、塑膠浮凸帶卷軸包材,與自動化表面黏著封裝程序
貼片電容應用于:通信產(chǎn)品、消費性多媒體電子產(chǎn)品、電腦周邊和汽車業(yè)