先進(jìn)型EDI超純水設(shè)備

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）ＥＤＩ(Ｅｌｅｃｔｒｏ-ｄｅ-ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ)是一種將離子交換技術(shù)、離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)(電滲析技術(shù))相結(jié)合的純水制造技術(shù)。該技術(shù)利用離子交換能深度脫鹽來(lái)克服電滲析極化而脫鹽不徹底,又利用電滲析極化而發(fā)生水電離產(chǎn)生Ｈ和ＯＨ離子實(shí)現(xiàn)樹(shù)脂自再生來(lái)克服樹(shù)脂失效后通過(guò)化學(xué)藥劑再生的缺陷,是20世紀(jì)80年代以來(lái)逐漸興起的新技術(shù)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，ＥＤＩ技術(shù)已經(jīng)在北美及歐洲占據(jù)了相當(dāng)部分的超純水市場(chǎng)。ＥＤＩ裝置屬于精處理水系統(tǒng)，一般多與反滲透(ＲＯ)配合使用,，組成預(yù)處理、反滲透、ＥＤＩ裝置的超純水處理系統(tǒng),，取代了傳統(tǒng)水處理工藝的混合離子交換設(shè)備。ＥＤＩ裝置進(jìn)水要求為電阻率為0.025-0.5ＭΩ·ｃｍ，反滲透裝置完全可以滿足要求。ＥＤＩ裝置可生產(chǎn)電阻率高達(dá)18ＭΩ·ｃｍ以上的超純水

2）工作原理

一般自然水源中都會(huì)存在鈉、鈣、鎂、氯化物、硝酸鹽、碳酸氫鹽等溶解物。這些化合物由帶負(fù)電荷的陰離子和帶正電荷的陽(yáng)離子組成。通過(guò)反滲透預(yù)處理，有95%-99%以上的離子可以被去除。反滲透產(chǎn)水的電阻率一般范圍是0.05-1.0M?·cm，即反滲透產(chǎn)水電導(dǎo)率的一般范圍為20-1μS/cm。根據(jù)在實(shí)際應(yīng)用的情況，EDI電去離子產(chǎn)品水電阻率的范圍一般為5~18.2 MΩ·cm。另外，原水中也可能包括其它微量元素、溶解的氣體（如CO₂）和一些弱電解質(zhì)（如硼、二氧化硅等），這些雜質(zhì)在工業(yè)除鹽水中必須被除掉。但是反滲透預(yù)處理對(duì)于這些雜質(zhì)的清除效果較差。因此，EDI的作用就是除去電解質(zhì)(包括弱電介質(zhì))，將水的電阻率從0.05~1.MΩ·cm提高到5~18.2 MΩ·cm。

3）EDI設(shè)備優(yōu)點(diǎn)

   A、無(wú)需酸堿再生，無(wú)化學(xué)藥劑使用，無(wú)酸堿廢水排放，生產(chǎn)過(guò)程無(wú)任何污染，屬清潔生產(chǎn)；

   B、無(wú)需停機(jī)再生，連續(xù)生產(chǎn)水質(zhì)穩(wěn)定的高純水；

   C、運(yùn)行穩(wěn)定可靠，降低運(yùn)行和維修費(fèi)用；

   D、無(wú)需派專門(mén)人員看守，易于實(shí)現(xiàn)設(shè)備自動(dòng)化控制；

   E、設(shè)備占地面積小，減少車間建設(shè)面積，節(jié)約場(chǎng)地建設(shè)費(fèi)用投資。

   F、控制系統(tǒng)可根據(jù)用戶具體使用要求進(jìn)行個(gè)性化設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的控制軟件，現(xiàn)場(chǎng)在線集中監(jiān)控重要工藝操作參數(shù)，避免人工誤操作，多方位確保系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

4）先進(jìn)型EDI設(shè)備配置

采用先進(jìn)PLC可編程控制器+人機(jī)界面自動(dòng)控制系統(tǒng)運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)人性化控制。

采用流量、壓力、液位、電導(dǎo)率、電阻率、pH值等傳感器，檢測(cè)系統(tǒng)各點(diǎn)運(yùn)行參數(shù)，自動(dòng)記錄系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的流量、壓力、液位、電導(dǎo)率、電阻率、pH值等數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)顯示。可儲(chǔ)存365天的運(yùn)行數(shù)據(jù)，方便查閱。

5）使用條件

   在一級(jí)/二級(jí)反滲透純水條件下，其產(chǎn)水水質(zhì)可達(dá)到實(shí)驗(yàn)室分析I級(jí)用超純水標(biāo)準(zhǔn)。

6）應(yīng)用領(lǐng)域

A、制藥行業(yè)、微電子行業(yè)、發(fā)電工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室。
B、在表面清洗、表面涂裝、電解工業(yè)和化工工業(yè)的應(yīng)用也日趨廣泛。

C、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路；
D、超純材料和超純化學(xué)試劑；
E、實(shí)驗(yàn)室和中試車間；
F、汽車、家電表面拋光處理；
G、光電產(chǎn)品；
H、其他高科技精微產(chǎn)品