德國IC/5膜層控制儀IC/5

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德國IC/5膜層控制儀IC/5

IC/5膜層控制儀

多用途的IC/5理想地適用于控制多源、多坩堝、多材料或多過程系統(tǒng)的膜層沉積速率和膜厚。IC/5可滿足即使最復(fù)雜、最高要求與特殊應(yīng)用的需要。它擅長于過程控制、邏輯功能、程序和膜層儲存容量、過程數(shù)據(jù)管理，尤其是沉積速率與膜厚的控制。

全面的過程控制

IC/5具有寬廣的功能，它可啟動(dòng)抽空過程、控制閥門、啟用基片加熱器等。這些增強(qiáng)的功能使系統(tǒng)無需配備輔助儀器，從而降低系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。IC/5的邏輯與控制功能包含100個(gè)可編程的邏輯狀態(tài)；I/O和TTL繼電器電路板提供多至24個(gè)繼電器輸出，28個(gè)TTL輸入，14個(gè)TTL輸出，20個(gè)計(jì)數(shù)和20個(gè)計(jì)時(shí)。邏輯狀態(tài)可與外輸入或輸出聯(lián)用。每個(gè)狀態(tài)可包含多至5個(gè)功能，并用布爾邏輯鏈接。IC/5可為源控制或圖形記錄儀輸出提供6個(gè)可賦值的模擬輸出、沉積速率、膜厚或沉積速率的偏離。

強(qiáng)力的過程處方和數(shù)據(jù)管理

IC/5膜層控制儀提供若干功能和選件，幫助用戶高效地管理過程處方和數(shù)據(jù)：

     豐富的機(jī)載儲存 – 多至50個(gè)過程和250個(gè)膜層。允許即時(shí)進(jìn)入您使用的過程數(shù)據(jù)和處方文件。這個(gè)進(jìn)入性對包含許多膜層的復(fù)雜過程，對運(yùn)行于多種工藝過程的鍍膜系統(tǒng)，以及對研制或工藝發(fā)展等應(yīng)用尤其有價(jià)值。

     磁盤驅(qū)動(dòng)選件 – 用于無限制地儲存過程數(shù)據(jù)和處方。離線編輯軟件選件 – 用于在計(jì)算機(jī)（不是IC/5面板）上，鍵入或輸入數(shù)據(jù)。用這個(gè)軟件編程更為方便與有效，尤其對多層膜和多材料過程。數(shù)據(jù)記錄 – 有關(guān)的過程信息（最終膜厚，平均沉積速率，運(yùn)行次數(shù)，膜層數(shù)等）可用ASCII格式自動(dòng)記錄入遙控通訊端口、打印機(jī)端口或磁盤中。采用磁盤驅(qū)動(dòng)選件，IC/5可將數(shù)據(jù)保存于展開的格式中，使過程的數(shù)據(jù)儲存與處理簡易化。數(shù)據(jù)記錄可方便地進(jìn)行運(yùn)行后分析與快速的校正作用。對于遵循ISO9000或QA認(rèn)證的生產(chǎn)，過程跟蹤是必不可少的。

Auto Z – 用于多層材料的精密鍍膜

IC/5自動(dòng)確定Z比值的Auto Z技術(shù)，提高了鍍層膜厚與沉積速率的控制精度，用戶不再需要計(jì)算聲阻（Z）比值³。當(dāng)在晶體上沉積多種材料時(shí)，比值Z隨材料在晶體上的比例而變化，因此，Z值的變化是動(dòng)態(tài)的。Auto Z連續(xù)修正過程進(jìn)行中的Z比值。在單一晶體上沉積分層的或合金材料的過程中，為保持精確的膜層厚度和沉積速率，這個(gè)功能是尤其重要的。

³Auto Z – 美國專利號5,112,642